三星电子8层版本的HBM3E存储芯片通过英伟达测试

秋收冬藏

　　据报道，三星电子第五代HBM3E存储芯片的8层版本已经通过英伟达的测试。

　　三星电子和英伟达尚未就8层HBM3E存储芯片签署供应协议，但很快就会签署；预计第四季度开始供应。

　　12层版本的HBM3E存储芯片尚未通过英伟达的测试。