加国同城's Archiver
论坛
›
北美股票
› 三星电子8层版本的HBM3E存储芯片通过英伟达测试
秋收冬藏
发表于 2024-8-6 20:21:31
三星电子8层版本的HBM3E存储芯片通过英伟达测试
据报道,三星电子第五代HBM3E存储芯片的8层版本已经通过英伟达的测试。
三星电子和英伟达尚未就8层HBM3E存储芯片签署供应协议,但很快就会签署;预计第四季度开始供应。
12层版本的HBM3E存储芯片尚未通过英伟达的测试。
页:
[1]
查看完整版本:
三星电子8层版本的HBM3E存储芯片通过英伟达测试